8-10M 电动大巴电机驱动器适用 2MBI800NE120-50
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10-12M 电动大巴电机驱动器适用 2MBI1000RNE120-50
富士RC-IGBT逆导型IGBT模块的技术特点。 RC-IGBT逆导型IGBT模块 大的提升了IGBT模块的功率密度，是电力电子小型化开发的理想功率器件。 RC-IGBT将传统与IGBT芯片反并联封装在 起的FRD(快恢复二 管)集成在同 芯片上，大大提高了功率密度，降低了芯片面积、制造成本和封装制程，同时提高了产品可靠性，将成为未来主流发展趋势。
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7 代的 IGBT 芯片结构继承了 6 代 V 系列技术开发的场截止（Field Stop）结构和沟槽门 结构。 7 代 X 系列与 6 代 V 系列相比，通过 用薄晶片减少漂移层的厚度。通过采用这样的薄漂移层，可以在 7 代 X 系列中更进 步降低 IGBT 芯 片的导通压降。 般来说，漂移层变薄时，可能会出现关断时的电压振荡及耐压降低，但通过进 步优 化场截止层，可以抑制电压振荡的同时确保足够的击穿电压以达成芯片的进 步减薄。另外，与 6 代 V 系列相比，通过使芯片表面的沟槽门 结构的细小化和 优化，可以抑制在导通时 P 通道抽出的空穴， 通过增加表面的载流子浓度来提高 IE 效果（Injection Enhanced），大幅度改善了导通压降和关断损耗之 间的平衡关系。
X 系列芯片的主要特征
1. 更薄的漂移层 - 降低导通压降 - 降低开关损耗
2. 细小化沟槽门 结构 - 降低导通压降 - 降低开关损耗
3. 优化场截止层 - 抑制电压振荡 - 降低高温漏电流
2.1 导通压降和关断损耗之间平衡关系的改善 图 1-3 显示了 7 代 X 系列和 6 代 V 系列 IGBT 芯片输出特性的比较。如图所示，在额定电流条件 下， 7 代 X 系列的导通压降(集电 －发射 电压)VCE(sat)降低了约 0.25V。通过降低导通压降，可以 减小电流流过 IGBT 时产生的导通损耗（电流×导通压降），从而可以进 步提高电力变换装置的效率。
图 1-4 显示了 7 代 X 系列和 6 代 V 系列的关断比较波形。通过应用更薄的漂移层及增强正效果， 显著地降低了拖尾电流，使得 X 系列的关断损耗降低了 10%。 图 1-5 显示了 IGBT 导通压降和关断损耗之间的平衡关系。与 V 系列相比，X 系列的导通压降降低了 0.25V。 通过上述改善，尽管 7 代的 IGBT 芯片尺寸有所减小，但却实现了更低的损耗。